现代功率模块及器件应用技术(4)
现代功率模块及器件应用技术(4)Ulrich Nicolai, Tobias Reimann 著 李毅,魏宇浩 译(赛米控国际公司)4 SEMIKRON功率模块4.1 SEMIKRON功率模块的命名方法 制造商通过命名来标识其产品不同的功能、内部线路、电流和电压限值以及其他说明。 下面给出了SEMIKRON生产的MOSFET和IGBT模块的命名规则。4.1.1 功率MOSFET模块 SK M 120 B 020 ① ② ③ ④ ⑤ ① SEMIKRON器件 ② MOS技术 ③ 漏极电流等级(Tcase=25℃时的ID/A) ④ 线路 A 单管 B 双管(半桥) D 六管(三相桥) M 两只MOSFET相背连接 ⑤ 漏极—源极电压等级〔VDS/(V/10)〕4.1.2 IGBT模块SEMITRANS SK M 100 G B 12 3 D L ① ② ③ ④ ···