IEC标准中用来表征晶闸管二极管性能特点的参数有数十项但用户经常用到的有十项左右本文就晶闸管二极管的主要参数做一简单介绍
正向平均电流IF(AV)( 整流管)
通态平均电流IT(AV)( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度THS或管壳温度 TC 时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值此时器件的结温已达到其最高允许温度Tjm上格电子公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度THS或管壳温度 TC值用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件
正向方均根电流IFRMS( 整流管)
通态方均根电流ITRMS( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度THS或管壳温度 TC 时,允许流过器件的最大有效电流值用户在使用中须保证在任何条件下流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值
浪涌电流IFSM(整流管)ITSM(晶闸管)
表示工作在异常情况下器件能承受的瞬时最大过载电流值用10ms底宽正弦半波峰值表示上格电子公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下施加80% VRRM条件下的测试值器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的用户在使用中应尽量避免出现过载现象
断态不重复峰值电压VDSM
反向不重复峰值电压VRSM
指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压一般用单脉冲测试防止器件损坏用户在测试或使用中应禁止给器件施加该电压值以免损坏器件
断态重复峰值电压VDRM
反向重复峰值电压VRRM
是指器件处于阻断状态时断态和反向所能承受的最大重复峰值电压一般取器件不重复电压的90%标注高压器件取不重复电压减100V标注用户在使用中须保证在任何情况下均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压
断态重复峰值漏电流IDRM
反向重复峰值漏电流IRRM
为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出
通态峰值电压VTM(晶闸管)
正向峰值电压VFM(整流管)
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力
器件在不同电流值下的的通态正向峰值电压可近似用门槛电压和斜率电阻来表示
VTM=VTO+rT*ITM VFM=VFO+rF*IFM
上格电子公司在产品手册中给出了各型号器件的最大通态正向峰值电压及门槛电压和斜率电阻用户需要时可以提供该器件的实测门槛电压和斜率电阻值
电路换向关断时间tq晶闸管
在规定条件下在晶闸管正向主电流下降过零后从过零点到元件能承受规定的重加电压而不至导通的最小时间间隔晶闸管的关断时间值决定于测试条件上格电子公司对所制造的快速高频晶闸管均提供了每只器件的关断时间实测值在未作特别说明时其对应的测试条件如下
通态峰值电流ITM等于器件ITAV
通态电流下降率di/dt=-20A/µs
重加电压上升率dv/dt=30A/µs
反向电压VR=50V
结温Tj=115°C
通态电流临界上升率di/dt晶闸管
是指晶闸管从阻断状态转换到导通状态时晶闸管所能承受的通态电流上升率最大值器件所能承受的通态电流临界上升率di/dt受门极触发条件影响很大因此我们建议用户应用中采用强触发方式触发脉冲电流幅值IG10IGT脉冲上升时间tr1s
断态电压临界上升率dv/dt
在规定条件下不会导致晶闸管从断态转换到通态所允许的最大正向电压上升速度上格电子公司产品手册中给出了所有品种晶闸管的最小dv/dt值当用户对dv/dt有特殊要求时可在订货时提出
门极触发电压 VGT
门极触发电流IGT
在规定条件下能使晶闸管由断态转入通态所需的最小门极电压和门极电流晶闸管开通过程中的开通时间开通损耗等动态性能受施加在其门极上的触发信号强弱影响很大如果在应用中采用较临界的IGT去触发晶闸管将不能让晶闸管得到良好的开通特性某些情况下甚至会引起器件提前失效或损坏因此我们建议用户应用中采用强触发方式触发脉冲电流幅值IG≥10IGT脉冲上升时间tr≤1s为了保证器件可靠工作IG必须远大于IGT
结壳热阻Rjc
指器件在规定条件下器件由结至壳流过单位功耗所产生的温升结壳热阻反映了器件的散热能力该参数也直接影响着器件的通态额定性能上格电子公司产品手册中对平板式器件给出了双面冷却下的稳态热阻值对半导体功率模块给出了单面散热时的热阻值用户须注意平板式器件的结壳热阻直接受安装条件的影响只有按手册中推荐的安装力安装才能保证器件的结壳热阻值满足要求
